fic：pcb体系，器件效率分别为1216和1277。
两篇章均发表在scibull期刊上，也就是之前提到的举国之力推举的一本期刊。
许推测他们把工作发表在这里，可能也是有完成上面任务的因素。
当然，他们也算是吃到了一波红利，后面scibull变为综合类一区了嘛。
而且，这两篇章都非常的短，他们发表的格式是“shorion短通讯”。
本来相较于正常article格式的章ion就够短的了，一般是三千个单词左右，三到五张图片的样子。
而现在这个shorion更夸张，正只有两页半，全就一张图片，整合了分子结构、光吸收光谱、荧光光谱、jv特性曲线以及eqe曲线。
不过，实验方面的工作量其实也没少太多，因为其他的表征测试也是做了的，包括光源gi、afclc，只是被放在了支持信息，里面有足足20张图片。
当然，章短不短的，对许来说也无关紧要。
他主要关注到三个点，即i8dfic体系具有“超窄禁带宽度”、“高电流密度”、“对膜厚不敏感”的特点。
i8dfic的禁带宽度只有126电子伏特，光吸收带边可以达到1000纳米，已经接近硅的禁带宽度了，常温下本征半导体硅的禁带宽度为112电子伏特。
也因此，基于i8dfic二元体系的器件，短路电流密度就高
454 许秋又出圈了，幕后推手竟然是……(4/16)