得到最优条件下的有效层的膜厚，绘制出器件效率随底电池、，现实做叠层器件，不是按照顶电池、底电池膜厚来规划的，而是按照溶液浓度、转速来规划的。
在做器件的时候并不知道具体的膜厚，只有一个大概的估计，比较吃经验。
主要也是现实做实验，需要从节省时间的角度来考虑，而在模拟实验室就不需要这般考虑，怎么方便怎么来。
当然，这也不是什么非常关键的问题，虽然表述方法不同，但背后的逻辑是一致的。
许检查了一下莫琳的实验规划，发现她在膜厚的优化区间存在一些问题。
她过多的参考了原先三元底电池，二元顶电池叠层器件的经验。
而实际上，现在发展成为二元底电池，三元顶电池叠层器件后，情况有了很大的不同。
比如，原先三元底电池，二元顶电池的最优条件，是顶电池厚度110纳米，底电池厚度220纳米。
现在的二元底电池，三元顶电池的最优条件是，顶电池厚度130纳米，底电池厚度190纳米。
偏差了20-30纳米的膜厚，反应在器件效率上，可能就会相差1-2。
另外，现实用到的是以浓度、转速作为实验条件的，当体系发生变化后，比如二元体系变更为三元体系，同样浓度、转速下得到的膜厚也会与之前有所不同。
换言之，看似只是把pcb的位置挪动了一下，实际上前后两个体系的差异已经非
468 你们钙钛矿团队的实验就先停一停(4/13)