”
“首先我认为，我们这次工程流片之所以会出现大批不能读写的次品，良品率极低，主要原因虽然有湖研院目前的0.35微米实验制程不成熟，但再怎么不成熟，良品率也不能这么低，真正搞出次品的原因是因为我们的埋入晶圆的栅极扩散层形态异常。”
会议室里大家都松了口气，尤其是目前正在攻关实验室0.35微米制程的工程师们，都觉得胡一亭这句话实在是对他们的最大安慰。
“大家看这张电镜探伤图，左边是这次的良品，右边是这次的不合格品，左边正常形态下的埋入层扩散结构和右边的区别是很明显的，我知道大家现在一定在想，为什么会出现右边这些次品？
问题出在哪呢？我来告诉大家，根据我的判断，这是因为我们扩散层离子注入时，因为注入机的真空度不够，从而引起埋入扩散层的氧化膜厚度中间薄周边厚，薄的部分隔离差，造成中间漏电。”
台下工程师们有的表情恍然大悟，有的则是兴奋地点头，表示不出所料，胡一亭的判断和他们一样。
胡一亭继续道：“这个问题我不展开细说，前段时间我不在，做坏了情有可原，反正总算还锻炼了队伍，提高了大家攻关克难的经验，我认为失败也是好事，给了我们总结的经验嘛，要是不出事，我倒觉不好，那样一来大家反而什么都学不到。”
胡一亭继续道：“之前经过奚所与长沙光电设备研究所也就是电科48所紧急协调，他们立刻派了团队，并带来
第519章 顶级制程科学家(2/5)