要原因是开启模拟实验室ii之后，有很长一段时间许都没有做器件优化工作，此外也是受了思维定势的影响。
现在思路打开了，许瞬间发散思维，想到了很多点子：
比如，除了三氧化钼的膜厚优化外，氧化锌的制备条件也可以摸索一番，包括膜厚、退火温度、退火时间以及其他制备工艺。
再比如，可以试一试正结构的器件，虽然大多数情况倒结构的性能更佳，而且许经过长期的实验也已经习惯采用倒结构器件，制备起来更加得心应手一些，但不排除有例外出现的可能性。
此外，还有其他科研工作者开发出的一些新型传输层材料，比如pfn、pd，已经商用化了，而且也不贵，可以找深城那家光电材料公司购买一些。
金属电极的膜厚倒是不用优化，因为只要膜厚超过一定阈值，确保器件不发生断路，具体厚度并不重要，哪怕蒸镀到1000纳米厚，和100纳米厚也没什么差别，反而可能因为电阻增大了10倍，导致效率降低了001也不是没可能。
当然，电极种类还是要考虑的，常用三种电极，金、银、铝的功函数各不相同。
不过，有之前pce11时期的探索经验，这方面许已经摸索过了，当前体系下最佳的电极是银。
基于这些思路，许给模拟实验人员下达了指令：
以现有最优实验条件为基准，优化两种3d-pdi系列电池器件的加工工艺，第一优先级是调控三氧化钼的
241 阴差阳错（求订阅）(4/9)