，它们在常温常压的条件下不容易挥发。
而在常温低压的条件下，就会逐渐从器件有效层“跑出来”，扩散到外界的真空氛围。
溶剂挥发的过程，是需要一定时间的。
正常蒸镀的过程持续时间只有2小时左右，不足以让有效层内部的残留溶剂完全挥发。
现在把这个时间额外延长3小时以上，就可以让溶剂近乎完全挥发。
溶剂挥发的过程，也将伴随着有效层显微形貌的改变。
如果这个影响是正面的，反应出来的结果就是“放置变好”，反之，就是“放置变差”。
在经过退火操作的器件，因为有效层内残留的溶剂较少，所以可以认为不存在溶剂挥发这个过程。
因此，额外的放置时间对于经由退火处理的器件性能的影响并不大。
可能长时间放置也会有变化，但在短时间内的表现就是“放置不变”。
当然，这些都是许提出的观点，具体对不对，只能通过不断的实验来检验。
不过，他自我感觉这套理论没什么问题，至少现阶段的实验结果，是支持他这些推论的。
许决定之后把“真空放置”这个实验操作，与热退火、溶剂退火等并列为一种对加工工艺进行优化的方式。
具体操作起来，可以晚上蒸镀完成，不打开蒸镀舱，让基片在舱里“闷一晚上”，等到第二天白天过来再进行测试。
这样做，就是消耗的时
465 连续突破，剑指17%！(10/12)