的容量被摩尔定律锁住了。
这是不可以接受的！
至少对于我们这些搞技术的人来说是无法接受的！我们决不能被摩尔定律捆住手脚。”
此言一出，大家都愣住了，心说你胡一亭是牛，这我们承认，可你要挑战摩尔定律，这大话可就说的太离谱了，不提高线宽的前提下，你就是把设计做出花来，晶体管数量也还是那么多，怎么可能提高存储容量呢？
胡一亭知道大家的困惑，继续道：“其实方法是有的，我今天要介绍的就是我思 考出的一种突破闪存容量上限的新技术。”
胡一亭切换ppt图片，“目前国际上有些专家也对此阐述过一些技术，我总结下来有三种，一种是质子非挥发性存储器；第二种是纳米存储器；第三种是单电子存储器。
我想说的是，这些都不靠谱，至少三十年内看不到商业应用的前景，因为无论从材料学还是从工程学角度，这些目前都是科幻小说里才能实现的技术，实验室里进行少量晶体管质子存储实验，或者用一两个碳纳米管验证可存储性能，或者用精密仪器实现单电子操纵，这都可以，但一到工程上就行不通了，大面积的工程应用做不出来就等于白说，现在谁都不知道要用怎样的设备和工艺去进行大规模制造，所以我们不要去考虑这些概念。”
胡一亭继续切换ppt，“目前我们能做的只有继续在flash-memory技术上进行发展，继续依靠半导体器件的电荷俘获原理，通过改进传统的
第520章 发明mlc闪存技术(3/6)