浮栅结构，发展与普通逻辑工艺相兼容的新技术。
我个人这次发明的这种新技术，我称之为multi-level-cell，简称mlc，而传统flash-memory闪存工艺我称之为single-level-cell，简称slc。
顾名思 义，这两者区别在于传统slc是单层式存储，而我发明的mlc技术是多层式存储。”
胡一亭说完，整个会议室骚动起来，大家的兴趣完全被他调动起来。
赵赫激动道：“胡总，这个多层存储究竟是怎么回事？是不是把两个芯片叠在一起做封装？这要怎么搞？”
胡一亭笑道：“别急别急，我这就说，但不是你想的那样，pop叠层封装工艺并不能降低闪存成本，两片颗粒叠加封装只能增加单芯片容量而已，价格也只会更加昂贵，和我说的mlc构造是两码事。”
说着胡一亭切了一张自制的ppt，开始对着自己昨晚鬼画符般做出的简图介绍起mlc构造的特点来。
“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜，这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕获电子，达到存储电荷的目的，带电就是1，不带电就是0，这是常识了。
我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，我们在对单元进行写入操作时，采用热电子注入法，将热电子注入沟道边缘的氮化硅，这样就完成
第520章 发明mlc闪存技术(4/6)